Акции

HXY20P03D HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -20 А, 42 мОм, 12.5 нКл, TO- 252 (DPAK)
HXY20P03D HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -20 А, 42 мОм, 12.5 нКл, TO- 252 (DPAK)
В наличии: 4 750 шт.
от 7,82 ₽
Подробнее
HXY20N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 20 А, 25 мОм, 4.9 нКл, TO-252 (DPAK)
HXY20N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 20 А, 25 мОм, 4.9 нКл, TO-252 (DPAK)
В наличии: 3 200 шт.
от 5,30 ₽
Подробнее
HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 50 А, 17 мОм, 36 нКл, TO-252 (DPAK)
HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 50 А, 17 мОм, 36 нКл, TO-252 (DPAK)
В наличии: 2 300 шт.
от 20,49 ₽
Подробнее
FQT7N10LTF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 4 А, 150 мОм, SOT-223
FQT7N10LTF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 4 А, 150 мОм, SOT-223
В наличии: 950 шт.
от 13,43 ₽
Подробнее
FQP50N06 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 50 А, 22 мОм, TO-220
FQP50N06 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 50 А, 22 мОм, TO-220
На заказ
Подробнее
FQD7N20LTM JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 9 А, 300 мОм, TO-252 (DPAK)
FQD7N20LTM JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 9 А, 300 мОм, TO-252 (DPAK)
В наличии: 2 425 шт.
от 23,42 ₽
Подробнее
FQD19N10TM JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 19 А, 60 мОм, TO-252 (DPAK)
FQD19N10TM JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 19 А, 60 мОм, TO-252 (DPAK)
В наличии: 2 350 шт.
от 21,35 ₽
Подробнее
FMMT591 SLKOR Биполярный транзистор PNP, -60 В, -1 А, SOT-23
FMMT591 SLKOR Биполярный транзистор PNP, -60 В, -1 А, SOT-23
В наличии: 8 200 шт.
от 2,12 ₽
Подробнее
FMMT491
FMMT491
На заказ
Подробнее
FGH60N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 120 А, корпус TO-247-3
FGH60N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 120 А, корпус TO-247-3
В наличии: 490 шт.
от 208,63 ₽
Подробнее
FGH40N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3
FGH40N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3
В наличии: 1 505 шт.
от 181,62 ₽
Подробнее
FGH40N60SFDTU, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3
FGH40N60SFDTU, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3
В наличии: 560 шт.
от 180,72 ₽
Подробнее
FF300R12KS4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 370 А, 1950 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
FF300R12KS4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 370 А, 1950 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
В наличии: 1 шт.
от 12 581,36 ₽
Подробнее
FF200R12KT4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 320 А, 1100 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
FF200R12KT4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 320 А, 1100 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
На заказ
от 6 221,63 ₽
Подробнее
FDV305N SLKOR полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 0.9 А, 220 мОм, SOT-23
FDV305N SLKOR полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 0.9 А, 220 мОм, SOT-23
В наличии: 11 250 шт.
от 2,66 ₽
Подробнее
FDV303N Elecsuper полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 20 В, 1.25 А, 0.3 Ом, 0.8 нКл, SOT-23
FDV303N Elecsuper полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 20 В, 1.25 А, 0.3 Ом, 0.8 нКл, SOT-23
В наличии: 1 500 шт.
от 1,12 ₽
Подробнее
FDV301N SLKOR полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 25 В, 0.22 А, 4000 мОм, SOT-23
FDV301N SLKOR полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 25 В, 0.22 А, 4000 мОм, SOT-23
В наличии: 14 500 шт.
от 2,90 ₽
Подробнее
FDV301N Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 1.25 А, 300 мОм, SOT-23
FDV301N Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 1.25 А, 300 мОм, SOT-23
В наличии: 12 500 шт.
от 1,60 ₽
Подробнее
FDS9435A HXY полевой транзистор (MOSFET) P-канал, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл, SOP-8
FDS9435A HXY полевой транзистор (MOSFET) P-канал, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл, SOP-8
В наличии: 12 200 шт.
от 3,38 ₽
Подробнее
FDS9431A HXY полевой транзистор (MOSFET) P, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл, SOP-8
FDS9431A HXY полевой транзистор (MOSFET) P, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл, SOP-8
В наличии: 2 700 шт.
от 12,56 ₽
Подробнее
FDS4435BZ HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -9.7 А, 28 мОм, 33.8 нКл, SOP-8
FDS4435BZ HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -9.7 А, 28 мОм, 33.8 нКл, SOP-8
В наличии: 2 300 шт.
от 9,48 ₽
Подробнее
FDN86246 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 150 В, 1.8 А, 280 мОм, 18 нКл, SOT-23
FDN86246 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 150 В, 1.8 А, 280 мОм, 18 нКл, SOT-23
В наличии: 1 750 шт.
от 9,58 ₽
Подробнее
FDN5630 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 3 А, 85 мОм, SOT-23
FDN5630 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 3 А, 85 мОм, SOT-23
В наличии: 5 700 шт.
от 4,41 ₽
Подробнее
FDN5618P HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -2 А, 80 мОм, SOT-23
FDN5618P HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -2 А, 80 мОм, SOT-23
В наличии: 8 100 шт.
от 6,06 ₽
Подробнее
FDN360P KUU полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -2 А, 80 мОм, SOT-23
FDN360P KUU полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -2 А, 80 мОм, SOT-23
В наличии: 12 000 шт.
от 2,65 ₽
Подробнее
1 334 335 336 337 338 5280