FDN5618P HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -2 А, 80 мОм, SOT-23

HXY
FDN5618P HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -2 А, 80 мОм, SOT-23
FDN5618P HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -2 А, 80 мОм, SOT-23
FDN5618P HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -2 А, 80 мОм, SOT-23
FDN5618P HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -2 А, 80 мОм, SOT-23
Описание
FDN5618P HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -2 А, 80 мОм, SOT-23
FDN5618P P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток -60 Вольт, максимальный ток стока -2 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 160 мОм (при Vgs = -10 В, Id = -1.5 А). Заряд затвора 11.3 нКл
Документы
file_p-8958023ac055 879,5 кб
от 6,06 ₽/шт
Есть в наличии: 8100
Варианты поставки и цены:
Склад 8 2-3 дня
В наличии: 8100 шт.
от 1 шт. 6,48 ₽/шт
от 1544 шт. 6,06 ₽/шт
Итого: -
В корзину
Купить в 1 клик
Условия заказа
Минимальная сумма заказа одной позиции: от 1 000 руб.
Минимальная сумма общего заказа: от 10 000 руб.
Характеристики
Бренд
—
HXY
PartNumber
—
FDN5618P
Артикул
—
1221118
Все товары категории
Все товары бренда HXY