FQD7N20LTM JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 9 А, 300 мОм, TO-252 (DPAK)

Описание
FQD7N20LTM JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 9 А, 300 мОм, TO-252 (DPAK)
FQD7N20LTM N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 200 Вольт, максимальный ток стока 9 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 300 мОм (при Vgs=10 В, Id =4.5 А), заряд затвора 19 нКл.
Документы