FDS4435BZ HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -9.7 А, 28 мОм, 33.8 нКл, SOP-8

JSMSEMI
FDS4435BZ HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -9.7 А, 28 мОм, 33.8 нКл, SOP-8
FDS4435BZ HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -9.7 А, 28 мОм, 33.8 нКл, SOP-8
FDS4435BZ HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -9.7 А, 28 мОм, 33.8 нКл, SOP-8
FDS4435BZ HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -9.7 А, 28 мОм, 33.8 нКл, SOP-8
Описание
FDS4435BZ HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -9.7 А, 28 мОм, 33.8 нКл, SOP-8
FDS4435BZ полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости P. Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -9.7 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 28 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-9.7 А). Заряд затвора 33.8 нКл.
от 9,48 ₽/шт
Есть в наличии: 2300
Варианты поставки и цены:
Склад 8 2-3 дня
В наличии: 2300 шт.
от 1 шт. 10,14 ₽/шт
от 987 шт. 9,48 ₽/шт
Итого: -
В корзину
Купить в 1 клик
Условия заказа
Минимальная сумма заказа одной позиции: от 1 000 руб.
Минимальная сумма общего заказа: от 10 000 руб.
Характеристики
Бренд
—
JSMSEMI
PartNumber
—
FDS4435BZ
Артикул
—
1221121
Все товары категории
Все товары бренда JSMSEMI