FQT7N10LTF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 4 А, 150 мОм, SOT-223

Описание
FQT7N10LTF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 4 А, 150 мОм, SOT-223
FQT7N10LTF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-223. Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 4 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 150 мОм (при Vgs =10 В, Id = 4 А).
Документы
file_p-11b082f68d27 206,5 кб