FDN5630 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 3 А, 85 мОм, SOT-23

HXY
Описание
FDN5630 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 3 А, 85 мОм, SOT-23
FDN5630 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 3 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 85 мОм (при Vgs = 10 В, Id = 3 А). Заряд затвора 7.5 нКл
Документы
file_p-02bc193568ce 545,2 кб