MJD45H11T4G JSMSEMI Биполярный транзистор PNP, -80 В, -8 А, TO-252 (DPAK)

JSMSEMI
MJD45H11T4G JSMSEMI Биполярный транзистор PNP, -80 В, -8 А, TO-252 (DPAK)
MJD45H11T4G JSMSEMI Биполярный транзистор PNP, -80 В, -8 А, TO-252 (DPAK)
MJD45H11T4G JSMSEMI Биполярный транзистор PNP, -80 В, -8 А, TO-252 (DPAK)
MJD45H11T4G JSMSEMI Биполярный транзистор PNP, -80 В, -8 А, TO-252 (DPAK)
Описание
MJD45H11T4G JSMSEMI Биполярный транзистор PNP, -80 В, -8 А, TO-252 (DPAK)
MJD45H11T4G Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -80 В, максимальный ток оллектора Ic max -8 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40.
Комплементарная пара: MJD44H11T4G
Документы
file_p-281d9ab74951 722,1 кб
от 20,15 ₽/шт
Есть в наличии: 886
Варианты поставки и цены:
Склад 8 2-3 дня
В наличии: 886 шт.
от 1 шт. 21,55 ₽/шт
от 465 шт. 20,15 ₽/шт
Итого: -
В корзину
Купить в 1 клик
Условия заказа
Минимальная сумма заказа одной позиции: от 1 000 руб.
Минимальная сумма общего заказа: от 10 000 руб.
Характеристики
Бренд
—
JSMSEMI
PartNumber
—
MJD45H11T4G
Артикул
—
1221465
Все товары категории
Все товары бренда JSMSEMI