MJD44H11T4G JSMSEMI Биполярный транзистор NPN, 80 В, 8 А, TO-252 (DPAK)

JSMSEMI
MJD44H11T4G JSMSEMI Биполярный транзистор NPN, 80 В, 8 А, TO-252 (DPAK)
MJD44H11T4G JSMSEMI Биполярный транзистор NPN, 80 В, 8 А, TO-252 (DPAK)
MJD44H11T4G JSMSEMI Биполярный транзистор NPN, 80 В, 8 А, TO-252 (DPAK)
MJD44H11T4G JSMSEMI Биполярный транзистор NPN, 80 В, 8 А, TO-252 (DPAK)
Описание
MJD44H11T4G JSMSEMI Биполярный транзистор NPN, 80 В, 8 А, TO-252 (DPAK)
MJD44H11T4G Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 80 В, максимальный ток оллектора Ic max 8 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40.
Комплементарная пара: MJD45H11T4G
Документы
file_p-5cf57a1011fd 716,9 кб
от 16,52 ₽/шт
Есть в наличии: 2500
Варианты поставки и цены:
Склад 8 2-3 дня
В наличии: 2500 шт.
от 1 шт. 18,78 ₽/шт
от 533 шт. 16,52 ₽/шт
Итого: -
В корзину
Купить в 1 клик
Условия заказа
Минимальная сумма заказа одной позиции: от 1 000 руб.
Минимальная сумма общего заказа: от 10 000 руб.
Характеристики
Бренд
—
JSMSEMI
PartNumber
—
MJD44H11T4G
Артикул
—
1221637
Все товары категории
Все товары бренда JSMSEMI