MJD127T4G JSMSEMI биполярный составной транзистор (Дарлингтона), PNP -100 В, -8 А, TO- 252 (DPAK)

JSMSEMI
MJD127T4G JSMSEMI биполярный составной транзистор (Дарлингтона), PNP -100 В, -8 А, TO- 252 (DPAK)
MJD127T4G JSMSEMI биполярный составной транзистор (Дарлингтона), PNP -100 В, -8 А, TO- 252 (DPAK)
MJD127T4G JSMSEMI биполярный составной транзистор (Дарлингтона), PNP -100 В, -8 А, TO- 252 (DPAK)
MJD127T4G JSMSEMI биполярный составной транзистор (Дарлингтона), PNP -100 В, -8 А, TO- 252 (DPAK)
Описание
MJD127T4G JSMSEMI биполярный составной транзистор (Дарлингтона), PNP -100 В, -8 А, TO- 252 (DPAK)
MJD127T4G биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -8 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.
Документы
file_p-810006cd107c 837,3 кб
от 9,58 ₽/шт
Есть в наличии: 8700
Варианты поставки и цены:
Склад 8 2-3 дня
В наличии: 8700 шт.
от 1 шт. 10,25 ₽/шт
от 976 шт. 9,58 ₽/шт
Итого: -
В корзину
Купить в 1 клик
Условия заказа
Минимальная сумма заказа одной позиции: от 1 000 руб.
Минимальная сумма общего заказа: от 10 000 руб.
Характеристики
Бренд
—
JSMSEMI
PartNumber
—
MJD127T4G
Артикул
—
1221461
Все товары категории
Все товары бренда JSMSEMI