MJD122T4 ST Microelectronics составной транзистор (Дарлингтона) NPN, 100 В, 8 А, TO-252 (DPAK)

ST Microelectronics
MJD122T4 ST Microelectronics составной транзистор (Дарлингтона) NPN, 100 В, 8 А, TO-252 (DPAK)
Описание
MJD122T4 ST Microelectronics составной транзистор (Дарлингтона) NPN, 100 В, 8 А, TO-252 (DPAK)
MJD122T4 составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение коллектор-эммитер -100 Вольт, максимальный ток коллектора -8 Ампер, коэффициент усиления по току hFE 15.
от 32,93 ₽/шт
Есть в наличии: 1735
Варианты поставки и цены:
Склад 8 2-3 дня
В наличии: 1735 шт.
от 1 шт. 35,22 ₽/шт
от 284 шт. 32,93 ₽/шт
Итого: -
В корзину
Купить в 1 клик
Условия заказа
Минимальная сумма заказа одной позиции: от 1 000 руб.
Минимальная сумма общего заказа: от 10 000 руб.
Характеристики
Бренд
—
ST Microelectronics
PartNumber
—
MJD122T4
Артикул
—
1221459
Все товары категории
Все товары бренда ST Microelectronics