IRF530NS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, 53 нКл, TO-263 (D2PAK)

JSMSEMI
IRF530NS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, 53 нКл, TO-263 (D2PAK)
IRF530NS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, 53 нКл, TO-263 (D2PAK)
IRF530NS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, 53 нКл, TO-263 (D2PAK)
IRF530NS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, 53 нКл, TO-263 (D2PAK)
Описание
IRF530NS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, 53 нКл, TO-263 (D2PAK)
IRF530NS N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-263 (D2PAK). Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 33 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 38 мОм (при Vgs=10 В, Id =15 А). Входная ёмкость 1331 пФ. Заряд затвора 53 нКл.
Документы
file_p-bfc5617aad04 1,3 мб
от 29,21 ₽/шт
Есть в наличии: 1450
Варианты поставки и цены:
Склад 8 2-3 дня
В наличии: 1450 шт.
от 1 шт. 31,24 ₽/шт
от 321 шт. 29,21 ₽/шт
Итого: -
В корзину
Купить в 1 клик
Условия заказа
Минимальная сумма заказа одной позиции: от 1 000 руб.
Минимальная сумма общего заказа: от 10 000 руб.
Характеристики
Бренд
—
JSMSEMI
PartNumber
—
IRF530NS
Артикул
—
1221198
Все товары категории
Все товары бренда JSMSEMI