IRLR3636ZPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK)

HXY
IRLR3636ZPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK)
IRLR3636ZPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK)
IRLR3636ZPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK)
IRLR3636ZPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK)
Описание
IRLR3636ZPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK)
IRLR3636ZPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 8.3 мОм (при Vgs=10 В, Id =45 А). Входная ёмкость 2680 пФ. Заряд затвора 45 нКл.
Документы
file_p-7ee3f2b110b1 592,9 кб
от 32,73 ₽/шт
Есть в наличии: 2350
Варианты поставки и цены:
Склад 8 2-3 дня
В наличии: 2350 шт.
от 1 шт. 35 ₽/шт
от 286 шт. 32,73 ₽/шт
Итого: -
В корзину
Купить в 1 клик
Условия заказа
Минимальная сумма заказа одной позиции: от 1 000 руб.
Минимальная сумма общего заказа: от 10 000 руб.
Характеристики
Бренд
—
HXY
PartNumber
—
IRLR3636
Артикул
—
1221406
Все товары категории
Все товары бренда HXY