IRFR1018EPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3 мОм, 33 нКл, TO-252 (DPAK)

HXY
IRFR1018EPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3 мОм, 33 нКл, TO-252 (DPAK)
IRFR1018EPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3 мОм, 33 нКл, TO-252 (DPAK)
IRFR1018EPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3 мОм, 33 нКл, TO-252 (DPAK)
IRFR1018EPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3 мОм, 33 нКл, TO-252 (DPAK)
Описание
IRFR1018EPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3 мОм, 33 нКл, TO-252 (DPAK)
IRFR1018EPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 8.3 мОм (при Vgs=10 В, Id = 45 А). Входная ёмкость 2680 пФ. Заряд затвора 33 нКл.
Документы
file_p-083ad2089214 594,2 кб
от 34,58 ₽/шт
Есть в наличии: 2350
Варианты поставки и цены:
Склад 8 2-3 дня
В наличии: 2350 шт.
от 1 шт. 36,99 ₽/шт
от 271 шт. 34,58 ₽/шт
Итого: -
В корзину
Купить в 1 клик
Условия заказа
Минимальная сумма заказа одной позиции: от 1 000 руб.
Минимальная сумма общего заказа: от 10 000 руб.
Характеристики
Бренд
—
HXY
PartNumber
—
IRFR1018E
Артикул
—
1221330
Все товары категории
Все товары бренда HXY