IRF7319 HXY полевой транзистор (MOSFET) N+P, 30 В / -30 В, 6 А / -5.5 А, 40 мОм, 5.2 нКл, SOP-8

HXY
IRF7319 HXY полевой транзистор (MOSFET) N+P, 30 В / -30 В, 6 А / -5.5 А, 40 мОм, 5.2 нКл, SOP-8
IRF7319 HXY полевой транзистор (MOSFET) N+P, 30 В / -30 В, 6 А / -5.5 А, 40 мОм, 5.2 нКл, SOP-8
IRF7319 HXY полевой транзистор (MOSFET) N+P, 30 В / -30 В, 6 А / -5.5 А, 40 мОм, 5.2 нКл, SOP-8
IRF7319 HXY полевой транзистор (MOSFET) N+P, 30 В / -30 В, 6 А / -5.5 А, 40 мОм, 5.2 нКл, SOP-8
Описание
IRF7319 HXY полевой транзистор (MOSFET) N+P, 30 В / -30 В, 6 А / -5.5 А, 40 мОм, 5.2 нКл, SOP-8
IRF7319 сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости N+P. Напряжение сток-исток 30 / -30 Вольт, максимальный ток стока 6 А / -5.5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 40 мОм (при Vgs=10 В, Id =6 А). Заряд затвора 5.2 нКл.
Документы
file_p-c56d66e5b9e9 887,7 кб
от 18,05 ₽/шт
Есть в наличии: 7250
Варианты поставки и цены:
Склад 8 2-3 дня
В наличии: 7250 шт.
от 1 шт. 19,31 ₽/шт
от 518 шт. 18,05 ₽/шт
Итого: -
В корзину
Купить в 1 клик
Условия заказа
Минимальная сумма заказа одной позиции: от 1 000 руб.
Минимальная сумма общего заказа: от 10 000 руб.
Характеристики
Бренд
—
HXY
PartNumber
—
IRF7319
Артикул
—
1221220
Все товары категории
Все товары бренда HXY