IPD068P03L3G HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -80 А, 8.8 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK)

HXY
IPD068P03L3G HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -80 А, 8.8 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK)
IPD068P03L3G HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -80 А, 8.8 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK)
IPD068P03L3G HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -80 А, 8.8 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK)
IPD068P03L3G HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -80 А, 8.8 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK)
Описание
IPD068P03L3G HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -80 А, 8.8 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK)
IPD068P03L3G N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 8.8 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-12 А), заряд затвора 45 нКл.
Документы
file_p-285e5d291284 841,9 кб
от 34,07 ₽/шт
Есть в наличии: 2300
Варианты поставки и цены:
Склад 8 2-3 дня
В наличии: 2300 шт.
от 1 шт. 36,43 ₽/шт
от 275 шт. 34,07 ₽/шт
Итого: -
В корзину
Купить в 1 клик
Условия заказа
Минимальная сумма заказа одной позиции: от 1 000 руб.
Минимальная сумма общего заказа: от 10 000 руб.
Характеристики
Бренд
—
HXY
PartNumber
—
IPD068P03
Артикул
—
1221162
Все товары категории
Все товары бренда HXY