HXY60N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 60 А, 9 мОм, 17.6 нКл, TO-252 (DPAK)

HXY
Описание
HXY60N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 60 А, 9 мОм, 17.6 нКл, TO-252 (DPAK)
HXY60N03D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 60 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 9 мОм (при Vgs=10 В, Id = 30 А). Входная ёмкость 1317 пФ. Заряд затвора 17.6 нКл.
Документы